Face to Face Stacking auf Wafer to Wafer (WoW) kann f???r die Cu-Cu-Direktbonding-Verbindungen durchgef???hrt werden. Durch Cu-Bonden kann eine gute mechanische Festigkeit erreicht werden, um die Scherkr???fte w???hrend des Ausd???nnens aufrechtzuerhalten. Die Herstellung zuverl???ssiger Verbindungsstrukturen ist jedoch eine st???ndige Herausforderung. Spannungen resultieren aus der Ablagerung von Materialien, der Ungleichheit der thermischen Ausdehnung und der Elektromigration. Die Ablagerung von Materialien f???hrt ...
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Face to Face Stacking auf Wafer to Wafer (WoW) kann f???r die Cu-Cu-Direktbonding-Verbindungen durchgef???hrt werden. Durch Cu-Bonden kann eine gute mechanische Festigkeit erreicht werden, um die Scherkr???fte w???hrend des Ausd???nnens aufrechtzuerhalten. Die Herstellung zuverl???ssiger Verbindungsstrukturen ist jedoch eine st???ndige Herausforderung. Spannungen resultieren aus der Ablagerung von Materialien, der Ungleichheit der thermischen Ausdehnung und der Elektromigration. Die Ablagerung von Materialien f???hrt unweigerlich zu Spannungen. Die Materialien in den Verbindungsstrukturen, die als Leiter, Dielektrikum oder Barriere dienen, haben unterschiedliche W???rmeausdehnungskoeffizienten. Die treibende Kraft ist die Spannung, die sich durch das Kornwachstum und den unterschiedlichen W???rmeausdehnungskoeffizienten (CTE) von Cu-Leiterbahnen und Dielektrika aufbaut. Der Hohlraum wird dann geschaffen, um die entstehenden Spannungen abzubauen. Auch die Elektromigration, die durch die Stromspannung verursacht wird, schafft einen Hohlraum. In diesem Projekt besch???ftigte ich mich mit der spannungsinduzierten Hohlraumbildung und der Elektromigration von Cu-Cu-Direktbonding-Proben bei einer Bondtemperatur von 300???C.
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