L'impilamento faccia a faccia su Wafer to Wafer (WoW) pu??? essere effettuato per le interconnessioni a incollaggio diretto Cu-Cu. Una buona resistenza meccanica per sostenere la forza di taglio durante l'assottigliamento pu??? essere ottenuta con l'incollaggio Cu. La realizzazione di strutture di interconnessione affidabili ??? una sfida persistente. Le sollecitazioni derivano dalla deposizione del materiale, dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica e dall'elettromigrazione. Il deposito di materiale genera ...
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L'impilamento faccia a faccia su Wafer to Wafer (WoW) pu??? essere effettuato per le interconnessioni a incollaggio diretto Cu-Cu. Una buona resistenza meccanica per sostenere la forza di taglio durante l'assottigliamento pu??? essere ottenuta con l'incollaggio Cu. La realizzazione di strutture di interconnessione affidabili ??? una sfida persistente. Le sollecitazioni derivano dalla deposizione del materiale, dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica e dall'elettromigrazione. Il deposito di materiale genera inevitabilmente sollecitazioni. I materiali delle strutture di interconnessione, scelti per funzionare come conduttori, dielettrici o barriere, hanno coefficienti di espansione termica diversi. La forza trainante deriva dalle sollecitazioni generate dalla crescita dei grani e dalla mancata corrispondenza dell'espansione termica (CTE) tra l'interconnessione Cu e i dielettrici. Lo spazio vuoto viene quindi creato per rilasciare lo stress risultante. Anche i fenomeni di elettromigrazione causati dalla tensione di corrente creano un vuoto. In questo progetto, quindi, ho lavorato sul vuoto indotto dalle sollecitazioni e sull'elettromigrazione di un campione di incollaggio diretto Cu-Cu con una temperatura di incollaggio di 300 C.
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