Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernst�ck der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsf�higkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst m�glich. Da f�r deren Anwendung nicht nur die Vorg�nge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf ...
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Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernst�ck der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsf�higkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst m�glich. Da f�r deren Anwendung nicht nur die Vorg�nge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerst�rungsmechanismen und St�rungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. F�r den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenh�nge bei Transistoren und Thyristoren pr�ziser dar. Sie ber�cksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Erg�nzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.
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