Die erste H???lfte des Buches bietet weitestgehend n???herungsfrei abgeleitete physikalische Theorien f???r einzelne D???nnschichten und komplette Solarzellen sowie entsprechende optoelektrische Analyseverfahren. In der zweiten H???lfte des Buches werden exemplarische TCO-, Puffer- und Absorberschichten sowie daraus gefertigte D???nnschicht-Solarzellen f???r eine Vielzahl unterschiedlicher Produktions- (Raum, Zeit, reales Gasgesetz, Prozessparameter, ...) und Messbedingungen (Temperatur, Beleuchtungsst???rke, ...) ...
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Die erste H???lfte des Buches bietet weitestgehend n???herungsfrei abgeleitete physikalische Theorien f???r einzelne D???nnschichten und komplette Solarzellen sowie entsprechende optoelektrische Analyseverfahren. In der zweiten H???lfte des Buches werden exemplarische TCO-, Puffer- und Absorberschichten sowie daraus gefertigte D???nnschicht-Solarzellen f???r eine Vielzahl unterschiedlicher Produktions- (Raum, Zeit, reales Gasgesetz, Prozessparameter, ...) und Messbedingungen (Temperatur, Beleuchtungsst???rke, ...) systematisch analysiert. Im Rahmen der theoretischen Betrachtungen einzelner D???nnschichten finden Ein- und Zwei-Schichten-Modelle ebenso Anwendung wie das Swanepoel Modell oder entsprechende quantenmechanische Modelle. Neben ber???hrungslosen, optischen Schichtwiderstandsmessungen k???nnen hiermit effektive Dotierstoffkonzentrationen, effektive Massen freier Ladungstr???ger, deren Driftgeschwindigkeiten, Beweglichkeiten, freien Wegl???ngen und Lebensdauern ebenso fehlerfrei bestimmt werden, wie die ihnen zugrunde liegenden Brechungsindizes (Dielektrizit???tskonstanten) und Absorptionskoeffizienten (Austrittsarbeiten). Im Rahmen der Analyse von I(U)-Kennlinien ganzer Solarzellen werden solide Modelle vorgestellt, mit welchen nicht nur Wirkungsgrade und F???llfaktoren effizent und korrekt bestimmt werden k???nnen, sondern u. a. auch die Quanteneffizienz. Dar???ber hinaus erlauben die l???ckenlos hergeleiteten Theorien eine korrekte Simulation der Strom-Spannungscharakteristik, auch in Abh???ngigkeit der Prozessparameter.
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