Os diel???ctricos de elevada permissividade e os substratos adequados est???o a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utiliza??????o na conce??????o de VLSI. No entanto, o ???xido de h???fnio (HfO2) ??? um candidato promissor para a pr???xima gera??????o de diel???ctricos de porta, devido ??? sua constante diel???ctrica relativamente elevada 25, ao seu grande intervalo de banda, ??? sua boa estabilidade t???rmica e ??? sua energia livre de rea??????o relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, ...
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Os diel???ctricos de elevada permissividade e os substratos adequados est???o a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utiliza??????o na conce??????o de VLSI. No entanto, o ???xido de h???fnio (HfO2) ??? um candidato promissor para a pr???xima gera??????o de diel???ctricos de porta, devido ??? sua constante diel???ctrica relativamente elevada 25, ao seu grande intervalo de banda, ??? sua boa estabilidade t???rmica e ??? sua energia livre de rea??????o relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, os dispositivos electr???nicos baseados em Ge voltaram a receber uma aten??????o consider???vel e o Ge pode fornecer solu??????es para os principais problemas que a tecnologia Si enfrenta nos dispositivos CMOS avan???ados; isto deve-se principalmente ??? maior mobilidade dos buracos e dos electr???es no substrato Ge. Assim, este livro ??? ???til para os leitores conhecerem algumas quest???es importantes sobre a tecnologia Ge para dispositivos de alta frequ???ncia.
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