Dans le pr???sent travail, nous avons utilis??? les propri???t???s optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dop??? comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont ???t??? d???pos???s ??? diff???rentes molarit???s de pr???curseur par des techniques de pulv???risation ultrasonique et de pyrolyse par pulv???risation, ainsi qu'??? diff???rentes temp???ratures de substrat, les films minces de ZnO dop???s avec diff???rents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dop???s. Dans ce travail, l'attention a ???t? ...
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Dans le pr???sent travail, nous avons utilis??? les propri???t???s optiques de films minces d'oxyde de zinc pur et dop??? comme semi-conducteur de type n. Les films minces ont ???t??? d???pos???s ??? diff???rentes molarit???s de pr???curseur par des techniques de pulv???risation ultrasonique et de pyrolyse par pulv???risation, ainsi qu'??? diff???rentes temp???ratures de substrat, les films minces de ZnO dop???s avec diff???rents dopants tels que Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn dop???s. Dans ce travail, l'attention a ???t??? port???e sur la nouvelle approche actuelle pour calculer l'???nergie de la bande interdite et les ???nergies d'Urbach. Le mod???le propos??? pour calculer la bande interdite ou les ???nergies d'Urbach des films minces de ZnO non dop???s et dop???s a ???t??? ???tudi???. La relation entre les donn???es exp???rimentales et le calcul th???orique avec les molarit???s des pr???curseurs sugg???re que la bande interdite ou les ???nergies d'Urbach sont principalement estim???es par la bande interdite ou les ???nergies d'Urbach et la concentration de la solution de ZnO.
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